シリコン単結晶引上げ

当社では、チョクラルスキー法（Czochralski = ＣＺ法）と呼ばれる製造方法により単結晶を製造しています。また、お客様の要求に応じてＣＺ法に強力な磁場をかけるＭＣＺ法を用いる場合もあります。 ＣＺ法では、金属不純物が濃度数ｐｐｂ以下（１ｐｐｂ＝１０億分の１）に高純度化された多結晶シリコンを、高純度石英るつぼ内に抵抗率調整用のホウ素（Ｂ）やりん（Ｐ）とともに入れて約１４２０℃で溶融します。 ついで、種結晶シリコン棒をシリコン溶液の液面につけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが造られます。
単結晶引上機

石英ルツボに組み込まれた 多結晶シリコン

引上げ中の単結晶シリコン