誘電体分離ウェーハ

活性基板（Active Wafer）となるウェーハを、分離のための溝を作成後に表面酸化します。 次にそのウェーハの表面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ＝ 化学的気相成膜）で多結晶シリコン膜を形成し、表面酸化した支持基板（Handle Wafer）と貼り合わせて熱処理し、２枚の基板を結合させます。その後、活性基板を所定の厚さまで研削、研磨して作られます。

製造工程フロー