エピタキシャル・ウェーハ

結晶の完全性が要求される用途や抵抗率の異なる多層構造を必要とする場合に、ポリッシュト・ウェーハをエピタキシャル炉の中で約１２００℃まで加熱し、気化された四塩化珪素（SiCl4）、三塩化シラン（トリクロルシラン、SiHCl3）を炉内に流し、ウェーハ表面上に単結晶シリコン薄膜を気相成長させます。

枚葉式エピタキシャル炉