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半導体デバイスは、高集積化、高性能化、経済合理性の向上を繰り返して進歩してきました。これらの進歩に大きく寄与してきたのが、シリコンウェーハの大口径化です。
ウェーハの口径拡大とともに、シリコンウェーハの高品質化が不可欠となります。製造工程でのハンドリングが難しくなるなか、数々の技術革新が進みました。
ナノスケールの世界では、半導体の基板となるシリコンウェーハの平坦度、清浄度にも限りなく「ゼロ」に近い精度が要求されます。
SUMCOは、300mm単結晶シリコンインゴットの経験をもとに、450mmインゴットを製造する際の技術的な課題を考察しました。
SUMCOでは、さまざまなシミュレーション、および、試作ウェーハによる実験を通して、ウェーハの厚みと機械的特性について検証を重ねています。
ウェーハの厚みが薄いほどウェーハの反り量は大きくなり、各種製造プロセスに多大な悪影響を及ぼすことが予想されます。
トラック輸送時、ウェーハが共振振動を起こすと、ウェーハ品質に悪影響を及ぼす可能性があります。SUMCOはウェーハ厚さと振動の関係について分析を行っています。
SUMCOは、厚さを含むウェーハ仕様の決定には、さまざまな技術を考慮して、ウェーハメーカーのみならず、半導体メーカー、半導体製造装置メーカーを含めた業界全体での議論が不可欠であると考えます。
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