■単結晶インゴット
ＣＺ法を利用して、高度に制御された品質をもつ直径３００ｍｍまでの単結晶インゴットを製造しています。
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■ポリッシュト・ウェーハ（ＰＷ：Polished Wafer）
単結晶シリコンをスライスし、鏡面研磨した平坦度と清浄度に優れたウェーハです。
ご要望に応じて各種ゲッター能力を付与したウェーハも製造しています。
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■アニール・ウェーハ（Annealed Wafer）
ＰＷを還元雰囲気中(水素､アルゴン)で熱処理してウェーハ表面の結晶完全性を高めたウェーハです。
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■エピタキシャル・ウェーハ（ＥＷ：Epitaxial Wafer）
ＰＷの表面に単結晶シリコン層を気相成長させ、さらに優れた品質をもたせたウェーハです。
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■埋め込み層付エピタキシャル・ウェーハ（ＪＩＷ：Junction Isolated Wafer）
お客様の設計に合わせて、リソグラフィー・イオン注入・熱拡散技術を利用して表面上にＩＣ用埋め込み層を形成させたウェーハです。
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■ＳＯＩウェーハ（Silicon-On-Insulator Wafer）
デバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性の実現を目指して電気絶縁性の高い酸化膜層をウェーハ内部に形成させたウェーハです。貼り合わせ法と酸素イオン注入法の２種類で製造しています。
・貼り合わせウェーハ（ＤＢＷ：Direct Bonded Wafer）
２枚のＰＷを酸化膜を介在させて貼り合わせたウェーハです。
・SIMOX
(Separation by IMplanted OXygen)
ＰＷに酸素イオンを注入してウェーハ内部に酸化膜層を形成させたウェーハです。貼り合わせウェーハよりも薄い活性層を形成でき、素子間の分離が容易になるばかりか工程短縮も可能になります。
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■再生ウェーハ（ＲＰＷ：Reclaimed Polished Wafer）
お客様のご要望に応じてご使用済みウェーハの再生処理を行います。 |
■各種ウェーハ仕様
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