シリコンウェーハの製造方法［単結晶引上工程］

当社では、CZ法（Czochralski=チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法により単結晶を製造しています。
また、お客様の要求に応じてCZ法に強力な磁場をかけるMCZ法（Magnetic field applied Czochralski法）を用いる場合もあります。

CZ法では、金属不純物が濃度数ppb以下（1ppb=10億分の1）に高純度化された多結晶シリコンを、高純度石英るつぼ内に抵抗率調整用のホウ素（B）やリン（P）とともに入れて約1420℃で溶融します。
種結晶シリコン棒をシリコン融液の液面につけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが造られます。