シリコンウェーハの製造方法［特殊加工工程］
当社では、ポリッシュト・ウェーハをさらに加工し、以下4つのウェーハを製造しています。
アニール・ウェーハ（Annealed Wafer）
ウェーハ表面の結晶完全性を高めるため、ポリッシュト・ウェーハを水素もしくはアルゴン雰囲気中で高温熱処理（アニール処理）を施します。
エピタキシャル・ウェーハ（EW：Epitaxial Wafer）
結晶の完全性が要求される用途や抵抗率の異なる多層構造を必要とする場合に、ポリッシュト・ウェーハをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱し、気化された四塩化珪素（SiCl4）、三塩化シラン（トリクロルシラン、SiHCl3）を炉内に流し、ウェーハ表面上に単結晶シリコン薄膜を気相成長（エピタキシャル成長）させます。
埋込層付エピタキシャル・ウェーハ（JIW：Junction Isolated Wafer）
半導体デバイスの前工程の一部としてお客様の設計に合わせて、露光、イオン注入、熱拡散技術を利用してウェーハ表面にIC用埋め込み層を形成した後、エピタキシャル成長をしたウェーハです。
SOIウェーハ（Silicon-On-Insulator Wafer）
表面酸化した支持基板（Handle Wafer）と、デバイスを作り込む活性基板（Active Wafer）を貼り合わせて熱処理することで、支持基板の酸化膜と活性基板のシリコンを結合させます。その後、活性基板を所定の厚さまで研削、研磨します。
デバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性の実現を目指して電気絶縁性の高い酸化膜層をウェーハ内部に形成させたウェーハです。
