シリコンウェーハ製品一覧
SUMCOは高品質のシリコンウェーハを提供し、最先端の半導体産業を支えます。シリコンウェーハの材料には最高水準の品質をもつ各種原材料を使用し、万全の品質管理のもと、お客さまのあらゆるニーズにお応えしています。
厳密な品質管理で高い平坦度と清浄度を実現したウェーハ
ポリッシュト・ウェーハ（PW：Polished Wafer）
単結晶インゴットを厚さ 1mm 程度にスライスし、その表面を鏡面研磨。平坦度と清浄度に優れたウェーハです。
SUMCO ではさらに、ウェーハ中の電気特性を劣化させる重金属不純物を捕獲する「ゲッタリング能力」を付加したウェーハも製造しています。
表面に単結晶シリコン層を気相成長させたウェーハ
エピタキシャル・ウェーハ（EW：Epitaxial Wafer）
ポリッシュト・ウェーハの表面に、気相成長させた単結晶シリコンの層を作ることで、さらに優れた品質を実現したウェーハです。
高温熱処理により、表面の結晶完全性を高めたウェーハ
アニール・ウェーハ（AW：Annealed Wafer）
ポリッシュト・ウェーハを水素もしくはアルゴンの雰囲気中で高温熱処理し、ウェーハ表面近くの酸素を除去。
ウェーハ表層を改質し結晶完全性を高めたウェーハです。
IC用埋め込み層を形成させたウェーハ
埋込層付エピタキシャル・ウェーハ（JIW：Junction Isolated Wafer）
お客さまの設計に合わせて、露光、イオン注入、熱拡散技術を利用し、あらかじめウェーハ表面に IC 用の埋め込み層を形成。さらにその上から気相成長させた層を作ったウェーハです。
酸化膜をはさむことで高集積化を実現したウェーハ
SOIウェーハ（Silicon-On-Insulator Wafer）
2枚のポリッシュト・ウェーハの間に電気絶縁性の高い酸化膜層を介在させ、貼り合わせたウェーハ。これによってデバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性を実現します。ウェーハ表面の活性層にヒ素（As）やアンチモン（Sb）の拡散層を形成することも可能です。
お客様のデバイス層を除去した再生ウェーハ
再生ウェーハ（RPW：Reclaimed Polished Wafer）
お客さまのご要望に応じてご使用済みのウェーハの再生処理を行います。
