最高品質の原材料から製造された、確かな品質
単結晶インゴット

SUMCOが提供するシリコンウェーハの材料となるのが、CZ法（Czochralski=チョクラルスキー法）を利用して製造した高純度な単結晶インゴットです。高度な管理体制のなかで、直径300mmまでのインゴットを製造しています。

また、お客さまのご要望に応じて、融解した珪素に強力な磁場を与えるMCZ法（Magnetic CZ法）や、石英ルツボを用いないことで低酸素濃度の単結晶インゴットを成長させるFZ法（Floating Zone法）を利用する場合もあります。

厳密な品質管理で高い平坦度と清浄度を実現したウェーハ
ポリッシュト・ウェーハ（PW：Polished Wafer）

単結晶インゴットを厚さ1mm程度にスライスし、その表面を鏡面研磨。平坦度と清浄度に優れたウェーハです。SUMCOではさらに、ウェーハ中の電気特性を劣化させる重金属不純物を捕獲する「ゲッタリング能力」を付加したウェーハも製造しています。

高温熱処理により、表面の結晶完全性を高めたウェーハ
アニール・ウェーハ
（AW：Annealed Wafer）

ポリッシュト・ウェーハを水素もしくはアルゴンの雰囲気中で高温熱処理し、ウェーハ表面近くの酸素を除去。結晶完全性を高めたウェーハです。

表面に単結晶シリコン層を気相成長させたウェーハ
エピタキシャル・ウェーハ
（EW：Epitaxial Wafer）

ポリッシュト・ウェーハの表面に、気相成長させた単結晶シリコンの層を作ることで、さらに優れた品質を実現したウェーハです。

IC用埋め込み層を形成させたウェーハ
埋込層付エピタキシャル・ウェーハ
（JIW：Junction Isolated Wafer）

お客さまの設計に合わせて、露光、イオン注入、熱拡散技術を利用し、あらかじめウェーハ表面にIC用の埋め込み層を形成。さらにその上から気相成長させた層を作ったウェーハです。

酸化膜をはさむことで高集積化を実現したウェーハ
SOIウェーハ
（Silicon-On-Insulator Wafer）

2枚のポリッシュト・ウェーハの間に電気絶縁性の高い酸化膜層を介在させ、貼り合わせたウェーハ。これによってデバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性を実現します。ウェーハ表面の活性層にヒ素（As）やアンチモン（Sb）の拡散層を形成することも可能です。