当社では、CZ法（Czochralski=チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。

金属不純物の濃度数がppb以下（1ppb=10億分の1）に高純度化された多結晶シリコンを、ホウ酸（B）やリン（P）とともに石英ルツボに入れて、約1420℃で融解させます。ここで加える微量のホウ酸やリンといった不純物が、最終的に完成する半導体の電気抵抗を調整し、その特性を決定します。

ルツボ内で融解したシリコンの液面に種結晶シリコン棒をつけ、回転させながら引き上げると、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットが完成します。これがCZ法の大まかな流れです。